[发明专利]一种采用组合发射区的异质结双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810053672.7 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108258032B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王冠宇;苗乃丹;于明道;宋琦;周春宇;王巍 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 伍伦辰 |
| 地址： | 400065 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si |
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| 搜索关键词： | 一种 采用 组合 发射 异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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