[发明专利]一种高反射率耐腐蚀的PVDF薄膜及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 201810052707.5 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108198886A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王同心;许先华;薛群山;沈一春 | 申请（专利权）人： | 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/049 | 分类号： | H01L31/049;H01L31/056;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/12;C08L27/16;C08L33/12;C08K3/22;C08K5/524;C08K5/3475;C08J5/18;C08J7/06;C23C14/20 |
| 代理公司： | 南京品智知识产权代理事务所(普通合伙) 32310 | 代理人： | 奚晓宁;杨陈庆 |
| 地址： | 226009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种高反射率耐腐蚀的PVDF薄膜及其制备方法、应用属于太阳能光伏背板应用领域，具体涉及一种高反射率耐腐蚀的PVDF薄膜及应用的光伏背板及其制备方法。PVDF薄膜具有三层结构，基底层为PVDF层，与基底层直接相连的是镀铝层，镀铝层的上方覆盖一层保护层。其制备过程包括制备PVDF层、制备镀铝层和制备保护层。常规的PVDF薄膜的反射率一般在50%‑60%左右，通过在其表面镀铝后，可以提高PVDF薄膜的反射率至90%以上，同时硅氧化物作为镀铝层的保护层，可有效避免水汽和氧气对镀铝反光层的腐蚀作用，保证反光效率，极大提高了光伏组件对太阳光的利用率，提高光伏电站的发电量，保证光伏电站25年使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 镀铝层 高反射率 保护层 耐腐蚀 光伏电站 反射率 基底层 太阳能光伏背板 应用 表面镀铝 反光效率 光伏组件 硅氧化物 三层结构 使用寿命 制备过程 水汽 常规的 反光层 太阳光 背板 镀铝 光伏 发电量 氧气 保证 腐蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高反射率耐腐蚀PVDF薄膜，其特征在于，所述的PVDF薄膜具有三层结构，基底层为PVDF层，与基底层直接相连的是镀铝层，镀铝层的上方覆盖一层保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
