[发明专利]具有无势垒结构的氧化钨电阻式随机存取存储器

摘要

本揭露提供一种基于氧化钨存储元件的存储装置及其制造方法。存储装置包括一插塞，插塞从基板的顶表面向上延伸穿过一介电层；一底电极，底电极的外表面具有钨，底电极从插塞的顶表面向上延伸；一绝缘材料，绝缘材料环绕底电极并且与底电极的外表面的钨接触；一存储元件，位于底电极的上表面，存储元件包括一氧化钨化合物，且存储元件可编程为至少两种电阻态；以及一顶电极，顶电极上覆并接触存储元件。插塞具有一第一侧向尺寸，底电极具有一侧向尺寸，侧向尺寸平行于插塞的第一侧向尺寸，且侧向尺寸小于插塞的第一侧向尺寸。

主权项

1.一种存储装置，包括：一插塞，该插塞从一基板的一顶表面向上延伸穿过一介电层；一底电极，该底电极的一外表面具有钨，该底电极从该插塞的一顶表面向上延伸；一绝缘材料，该绝缘材料环绕该底电极并且与该底电极的该外表面的钨接触；一存储元件，位于该底电极的一上表面，该存储元件包括一氧化钨化合物，且该存储元件可编程为至少两种电阻态；以及一顶电极，该顶电极上覆并接触该存储元件。