[发明专利]像素单元及其制造方法以及成像装置在审
申请号: | 201810052213.7 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108257996A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 陈世杰;北村阳介;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及像素单元及其制造方法以及成像装置。像素单元可以包括衬底,其包括用于光电器件的第一部分和用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分。第一部分在衬底表面处具有第一表面,并且第一部分包括第一掺杂区。第二部分包括:沟道形成区,与第一掺杂区相邻,沟道形成区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反,以及与沟道形成区相邻的第二掺杂区。像素单元还包括:在衬底之上且至少覆盖第一表面的至少一部分的调节绝缘层;以及至少在第一表面的至少一部分之上的调节电极层,调节绝缘层插入在二者之间。 | ||
搜索关键词: | 像素单元 掺杂区 沟道形成区 第一表面 绝缘层 成像装置 导电类型 光电器件 衬底 衬底表面处 电极层 耦合的 晶体管 制造 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种像素单元,其特征在于,包括:衬底,包括用于光电器件的第一部分和用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分,其中所述第一部分在所述衬底表面处具有第一表面,并且所述第一部分包括第一掺杂区;所述第二部分包括:沟道形成区,与所述第一掺杂区相邻,所述沟道形成区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反,以及与沟道形成区相邻的第二掺杂区;在所述衬底之上且至少覆盖所述第一表面的至少一部分的调节绝缘层;以及至少在所述第一表面的所述至少一部分之上的调节电极层,所述调节绝缘层插入在二者之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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