[发明专利]基于硅基双环结构的APD探测器制备方法

摘要

基于硅基双环结构的APD探测器制备方法，本发明属于探测器领域，其中包括P+衬底（1），位于衬底上方p‑外延层作为探测器的π型吸收区（2），在外延层上制作保护环APD探测器结构包括：接触区N+（3）和保护环N+（4）组成APD探测器的双环结构，在外延层上制备倍增区P+（5），而光敏面采用SiO₂（6）、PSG（7）和Si₃N₄（9）组成的光敏感层，提高APD探测器对光的透过率，因此提供器件的吸收效率；本发明区别于传统APD探测器主要是采用双环结构，增加了器件的感光面积，提高APD探测器的探测效率、响应度，并解决了APD探测器的高电压下边缘局部提前击穿效应；生产工艺采用高能离子注入和退火工艺制作，有效提高器件的成品率降低暗电流。

主权项

1.一种基于硅基双环结构的APD探测器制备方法，其中包括P+衬底（1），位于衬底上方p‑外延层作为探测器的π型吸收区（2），在外延层上制作保护环APD探测器结构包括：接触区N+（3）和保护环N+（4）组成APD探测器的双环结构，在外延层上制备倍增区P+（5），光敏面采用SiO₂（6）、PSG（7）和Si₃N₄（9）组成的光敏感层。