[发明专利]对覆盖台阶的膜层的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种对覆盖台阶的膜层的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法。通过引入轰击气体，从而可增强具选择比刻蚀气体混合物对待刻蚀膜层的垂向刻蚀强度，并减弱具选择比刻蚀气体混合物对待刻蚀膜层的侧向刻蚀强度，从而可有效改善待刻蚀膜层被侧向侵蚀的问题。

主权项

1.一种对覆盖台阶的膜层的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上具有一台阶结构，所述台阶结构从所述衬底表面凸出，在所述衬底上形成有一待刻蚀膜层，所述待刻蚀膜层覆盖所述台阶结构的顶部和侧壁，并延伸覆盖所述衬底的表面；形成一掩膜层在所述待刻蚀膜层上，所述掩膜层覆盖所述待刻蚀膜层中位于所述台阶结构顶部的部分，以使所述掩膜层的高度投影区和所述待刻蚀膜层中覆盖所述台阶结构顶部和侧壁的部分的高度投影区重叠；以及，利用具选择比刻蚀气体混合物非等向性干式刻蚀所述待刻蚀膜层，以去除所述待刻蚀膜层中位于所述衬底表面上的部分，并保留所述待刻蚀膜层中覆盖所述台阶结构顶部和侧壁的部分，所述具选择比刻蚀气体混合物包括至少一种轰击气体，所述轰击气体等离子化后轰击并非等向性腐蚀所述待刻蚀膜层，以沿着垂直于所述衬底表面的方向消耗所述待刻蚀膜层。