[发明专利]复合沟道晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810048091.4 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108376740B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合沟道晶体管，包括：位于半导体衬底上的层间介电层；位于层间介电层中的栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层和层间介电层上的复合沟道层；位于复合沟道层两端的源漏区；位于层间介电层上并将复合沟道层的四周及上表面包覆的钝化层；位于钝化层中并连接源漏区的源漏电极。本发明选用具有高迁移率的石墨烯和具有可调带隙的有机薄膜共同形成复合沟道层，能有效解决石墨烯没有带隙和有机薄膜晶体管迁移率低的问题，制备出具有高迁移率的复合沟道晶体管，并能与现有的CMOS工艺兼容，制备工艺简单可行，可方便地制备出小尺寸、大规模的复合沟道晶体管阵列。本发明还公开了一种复合沟道晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 沟道 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种复合沟道晶体管，其特征在于，自下而上包括：位于半导体衬底上的层间介电层；位于层间介电层中的栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层和层间介电层上的复合沟道层；位于复合沟道层两端的源漏区；位于层间介电层上的钝化层，所述钝化层将复合沟道层的四周及上表面包覆；位于钝化层中的源漏电极，所述源漏电极连接源漏区；其中，所述复合沟道层为至少一层石墨烯和至少一层有机薄膜所组成的叠层。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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