[发明专利]一种多层芯片及其集成方法有效
| 申请号： | 201810045173.3 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108336074B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 曹静;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多层芯片及其集成方法。所述方法包括：将具有第一金属层的第一芯片和具有第二金属层的第二芯片进行混合键合；在所述第二芯片中设置第一金属引线，所述第一金属引线连接到所述第二金属层；在所述第二芯片上进行氧化物沉积，获得第一氧化层；将所述第一氧化层与第三芯片的第二氧化层进行键合；制作穿过所述第一氧化层、所述第二氧化层的第二金属引线，通过所述第二金属引线连接所述第一金属引线和所述第三芯片中的第三金属层。本发明在两层芯片混合键合的基础上进行第三层芯片的键合，并且三层芯片之间实现了金属互联，填补了目前三层芯片集成的空白，能够满足对器件性能和集成度高的求。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 金属引线 氧化层 第二金属层 多层芯片 混合键合 键合 三层 第一金属层 氧化物沉积 器件性能 芯片集成 集成度 第三层 金属层 两层 互联 穿过 金属 填补 制作 | ||
【主权项】：
1.一种多层芯片，其特征在于，包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一金属层；与所述第一芯片键合的第二芯片,所述第二芯片具有第二金属层，且所述第二金属层与所述第一金属层金属键合；所述第二芯片上的第一氧化层；具有第二氧化层和第三金属层的第三芯片，所述第二氧化层与所述第一氧化层键合，且所述第三金属层与所述第二金属层金属互联；以及覆盖设置在所述第三芯片上的SiN掩蔽层；所述多层芯片是通过在两层芯片混合键合的基础上进行金属线引出，硅减薄；然后进行第三层芯片的键合，硅减薄；然后通过TSV技术在所述第二芯片与第三芯片之间制作过孔和沟槽，通过所制作的过孔和沟槽利用CU先对所述第二芯片与第三芯片的进行金属互联的方式集成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810045173.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
