[发明专利]一种改善阱注入前光刻胶残留的方法在审
| 申请号： | 201810043463.4 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108231546A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 侯婧文;李春龙;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善阱注入前光刻胶残留的方法，包括以下步骤：a)在硅衬底上沉积氮化物，得到沉积有氮化层的硅衬底；b)将步骤a)得到的沉积有氮化层的硅衬底进行离子氧化处理，得到处理后的硅衬底；c)将步骤b)得到的处理后的硅衬底进行光刻工艺，得到阱注入前的硅芯片。与现有技术相比，本发明采用离子氧化处理，使氮化层和氧离子反应，表面的氮化硅会被氧化成为SiO2产物，从而使氮化层表面的电性被中和；再进行光刻工艺，涂光刻胶，由于氮化层表面被氧化物层保护，避免光刻胶产生稳定的甲烷硅脂基团，实现氮化硅表面不会残留光刻胶；并且本发明提供的改善阱注入前光刻胶残留的方法简单、高效，适用于直接在氮化物表面进行光刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化层 硅衬底 光刻胶残留 光刻工艺 光刻胶 氧化处理 沉积 离子 硅芯片 沉积氮化物 氮化硅表面 氮化物表面 氧化物层 氮化硅 氧离子 甲烷 电性 硅脂 残留 中和 | ||
【主权项】：
1.一种改善阱注入前光刻胶残留的方法，包括以下步骤：a)在硅衬底上沉积氮化物，得到沉积有氮化层的硅衬底；b)将步骤a)得到的沉积有氮化层的硅衬底进行离子氧化处理，得到处理后的硅衬底；c)将步骤b)得到的处理后的硅衬底进行光刻工艺，得到阱注入前的硅芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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