[发明专利]一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置有效
| 申请号: | 201810040682.7 | 申请日: | 2018-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN108287300B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 冯士维;王勋;何鑫;张亚民;陈宇峥 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
| 地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置属于半导体器件测量技术领域。本发明设计了包括:采用FPGA产生脉宽可调的测试信号;设计了MOSFET栅极驱动电路及栅极测试信号的附加电路,在MOSFET处于一个稳定工作的状态下,利用测试信号附加电路,在栅极原有的工作开启电压上叠加一个大小可调的测试信号;检测漏源电压的变化,当其值变化幅度高出设定标准时,监测电路产生一个指示信号传送给FPGA;基于FPGA的内部计时器,将测试信号的产生时刻和指示信号的接收时刻分别记录,求出二者时差,利用时差与温度间的线性关系,结合工作功率反应的结到壳的温差,求解出器件在该工作状态下的结温。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 测量 工作 状态 绝缘 场效应 晶体管 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种检测工作状态下的MOSFET器件结温的装置,其特征在于,包括以下部分:被测MOSFET器件放置在可调温的恒温平台上;器件的漏源两端接外部电源,器件的栅极接到测试信号附加电路的输出端;FPGA链路分成两部分,一部分为测试信号的产生,该部分与测试信号附加电路一个输入端连接,另一部分是指示信号的接收,其与漏源电压监测电路的输出端连接;测试信号附加电路输入端有两个,其中一个连接至调幅电路的输出,这个电路由一个可调电阻与一个固定电阻组成,实现测试信号的大小调节,而调幅电路的输入与FPGA的测试信号的产生端口连接;测试信号附加电路的另一输入端连接栅极驱动电路的输出,驱动电路的输入连接用于设置栅极开启电压的外部电源,不加测试信号时,该电路的输出信号即为栅极开启电压,若加上测试信号,则电路的输出变为在工作下的开启电压基准上叠加一个测试电压信号;漏源电压监测电路,其输入端接器件漏极,此电路的输出端连接FPGA指示信号接收口;利用FPGA内部设置的计时器,计算测试信号产生时刻和指示信号接收时刻之间的时间差,通过串口通信将该值传给计算机。
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