[发明专利]一种半导体发光元件以及制备方法在审
| 申请号: | 201810039673.6 | 申请日: | 2018-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN108232034A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
| 发明(设计)人: | 吴琼 | 申请(专利权)人: | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
| 地址: | 350109 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种半导体发光元件以及制备方法,该元件包括:基板;设置于基板上表面的发光单元;开设于发光单元中部的槽孔;设置于槽孔底面中部且与发光单元底层电性连接的第一电极;在发光单元的上表面环绕槽孔周侧设置且与发光单元的顶层电性连接的第二电极。该制备方法包括:在基板上形成具备多层结构的发光单元;通过在所述发光单元的中部进行局部去除,保留发光单元的底层,进而形成槽孔;在槽孔内且位于发光单元的底层的上表面中部形成第一电极,并与发光单元的底层电性连接;在发光单元的上表面环绕槽孔的周侧形成第二电极,并与发光单元的顶层电性连接。本发明提出的技术方案,改善了电流扩散结构,简化了制备方法。 | ||
| 搜索关键词: | 发光单元 电性连接 槽孔 制备 上表面 半导体发光元件 第二电极 第一电极 环绕槽 顶层 基板 基板上表面 电流扩散 多层结构 局部去除 底面 保留 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光元件,其特征在于,包括:基板;设置于所述基板上表面且具备多层结构的发光单元;开设于所述发光单元中部且底面为所述发光单元底层上表面的槽孔;设置于所述槽孔底面中部且与所述发光单元底层电性连接的第一电极;在所述发光单元的上表面环绕所述槽孔周侧设置且与所述发光单元的顶层电性连接的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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