[发明专利]一种高非晶态一氧化硅材料、制备方法及其用途

摘要

本发明涉及一种高非晶态一氧化硅材料，其化学式为SiOx（0.9<x<1.1），晶体结构非晶化程度高，通过X射线衍射而得到的XRD图谱中，对应在2θ=20~26°附近产生的SiO2峰值点处相对于基线的峰值强度P1≤100 a.u.；同时对应在2θ=27.0~30.0°范围内产生的Si峰值点处相对于基线的峰值强度P2≤100 a.u.。该材料用作传统镀膜材料领域用蒸镀材料时，可抑制喷溅的产生，不会产生针孔等缺陷，可形成气体阻挡性优异的蒸镀膜；该材料用作新兴锂离子电池负极材料领域用负极材料时，首次充电容量高，首次充放电效率高（首次放电容量/首次充电容量），循环性能好（循环之后容量维持率高），体积膨胀小。

主权项

1.一种高非晶态一氧化硅材料，其特征在于，其化学式为SiOx（0.9

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