[发明专利]含硫缺陷的硫化物的制备方法与光催化还原二氧化碳的方法有效
申请号: | 201810034700.0 | 申请日: | 2018-01-15 |
公开(公告)号: | CN110040764B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 孙永福;李小东;谢毅 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00;B01J27/04;C07C1/02;C07C9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明提供了一种含硫缺陷的CuIn |
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搜索关键词: | 缺陷 硫化物 制备 方法 光催化 还原 二氧化碳 | ||
【主权项】:
1.一种含硫缺陷的CuIn5S8硫化物的制备方法,包括以下步骤:将四水合氯化铟、一水合乙酸铜和硫代乙酰胺在有机溶剂中反应,得到三元CuIn5S8超薄片;将所述三元CuIn5S8超薄片进行快速煅烧,得到含硫缺陷的CuIn5S8硫化物。
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