[发明专利]含硫缺陷的硫化物的制备方法与光催化还原二氧化碳的方法有效

专利信息
申请号: 201810034700.0 申请日: 2018-01-15
公开(公告)号: CN110040764B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 孙永福;李小东;谢毅 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: C01G15/00 分类号: C01G15/00;B01J27/04;C07C1/02;C07C9/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种含硫缺陷的CuIn5S8硫化物的制备方法,包括以下步骤:将四水合氯化铟、一水合乙酸铜和硫代乙酰胺在有机溶剂中反应,得到三元CuIn5S8超薄片;将所述三元CuIn5S8超薄片进行快速煅烧,得到含硫缺陷的CuIn5S8硫化物。本申请还提供了一种利用上述制备的含硫缺陷的CuIn5S8硫化物可见光催化还原CO2的方法。实验结果表明,含硫缺陷的三元CuIn5S8硫化物具有更高的可见光催化还原二氧化碳成甲烷的选择性,其在可见光照射下能将CO2几乎100%催化还原成甲烷,且CH4生成速率约为8.7μmol·g‑1·h‑1
搜索关键词: 缺陷 硫化物 制备 方法 光催化 还原 二氧化碳
【主权项】:
1.一种含硫缺陷的CuIn5S8硫化物的制备方法,包括以下步骤:将四水合氯化铟、一水合乙酸铜和硫代乙酰胺在有机溶剂中反应,得到三元CuIn5S8超薄片;将所述三元CuIn5S8超薄片进行快速煅烧,得到含硫缺陷的CuIn5S8硫化物。
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