[发明专利]薄膜晶体管和场效应二极管在审
| 申请号： | 201810029520.3 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN109427912A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杜小龙;张永晖;梅增霞;梁会力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/861;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管和场效应二极管，所述薄膜晶体管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述场效应二极管包括绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极；所述漏电极与所述栅电极电连接。本发明的薄膜晶体管和场效应二极管的电极形状呈闭合圆环形，其电场沿各个方向更加均匀分布，消除了电场强度的尖峰，从而提高了电压耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 闭合圆环形 绝缘层 场效应二极管 薄膜晶体管 沟道层 漏电极 栅电极 相对两侧 源电极 电压耐受能力 电场 尖峰 电极形状 电连接 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的闭合圆环形的沟道层和闭合圆环形的栅电极；以及与所述沟道层相接触的闭合圆环形的源电极和闭合圆环形的漏电极。
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