[发明专利]一种增强型氮化镓场效应器件的制备方法有效
| 申请号： | 201810025886.3 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108305834B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强型氮化镓场效应器件结构的制备方法。通过在栅金属下方插入一层P型二维半导体材料，能够有效耗尽栅极下方沟道中的二维电子气，从而制备得到增强型氮化镓场效应器件。利用氧等离子体刻蚀除去栅极下方以外接触区的P型二维半导体材料，能够有效降低接触电阻，提高器件性能。同时，通过控制刻蚀时间和氧等离子体浓度，可以利用氧等离子体使势垒层形成氧化膜，减小器件栅极漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化 场效应 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
