[发明专利]改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法

摘要

本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，包括步骤：形成多晶硅层并光刻定义出多晶硅结构的形成区域；进行各向异性刻蚀形成多晶硅结构，多晶硅结构的侧面台阶呈垂直结构；沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加形成的层间膜，层间膜的厚度大于等于多晶硅结构的侧面台阶的高度；退火回流，回流后的硼磷硅玻璃在多晶硅结构的侧面台阶处形成一个完全倾斜的结构；对层间膜进行全面的湿法刻蚀将层间膜的厚度减少到小于多晶硅结构的厚度；形成接触孔的开口；形成金属层并进行金属刻蚀。本发明能使硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处为完全倾斜的结构，从而能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

主权项

1.一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成多晶硅层，采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域；步骤二、以所述光刻胶图形为掩膜，采用各向异性刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀所述多晶硅结构，所述多晶硅结构的侧面台阶呈垂直结构；步骤三、沉积层间膜；所述层间膜为常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加层，所述层间膜的厚度大于等于所述多晶硅结构的侧面台阶的高度；步骤四、对所述硼磷硅玻璃进行退火回流，通过步骤三中的所述层间膜的厚度设置使回流后的所述硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处形成一个完全倾斜的结构；步骤五、对所述层间膜进行全面的湿法刻蚀，将所述层间膜的厚度减少到目标厚度，所述目标厚度小于所述多晶硅结构的厚度；步骤六、采用光刻工艺定义出接触孔的形成区域，对所述接触孔的形成区域的所述层间膜进行刻蚀形成所述接触孔的开口；步骤七、形成金属层，所述金属层将所述接触孔完全填充；进行金属层的刻蚀将所述接触孔区域外的所述金属层全部去除，利用所述硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处为完全倾斜的特征消除在所述多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。