[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种减少导电膜的电阻值变化的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括半导体基板、布线层、介电膜、金属膜和层间介电膜。半导体基板具有第一表面。布线层布置在第一表面上方。布线层具有第一部分，以及与第一部分分开设置的第二部分。介电膜布置在第一部分上方。金属膜布置在介电膜上方。层间介电膜覆盖了介电膜和金属膜，并且位于第一部分和第二部分之间。空气间隙设置在位于第一部分和第二部分之间的层间介电膜内。空气间隙在与第一表面交叉的方向上延伸。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有第一表面的半导体基板；布线层，所述布线层具有第一部分和与所述第一部分分开设置的第二部分，并且所述布线层布置在所述第一表面上方；布置在所述第一部分上方的介电膜；布置在所述介电膜上方并且由导电材料构成的导电膜；和覆盖所述介电膜和所述导电膜的层间介电膜，所述层间介电膜位于所述第一部分和所述第二部分之间，其中，在与所述第一表面交叉的方向上延伸的空气间隙设置在所述第一部分和所述第二部分之间。