[发明专利]一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法有效
| 申请号： | 201810020989.0 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108231992B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杨夏;朱美珍 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 代群群 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法，属于超导量子芯片领域。本发明解决了现有量子芯片铌膜刻蚀工艺中刻蚀速度快则产生过刻，基片破损严重，即使刻蚀速度慢也会产生薄膜边缘粗糙，有点状残留且难以去除的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)清理基片，得到干净的基片；(2)在片上镀铌膜，得到镀铌膜的基片；(3)对镀铌膜的基片上的铌膜进行曝光显影，得显影后的基片；(4)对基片进行刻蚀；(5)对刻蚀后的基片进行后处理，得到后处理后的基片；(6)对后处理后的基片去胶。本发明可以达到快速刻蚀铌膜的同时还能有效除去点状刻蚀残留物，同时还不产生过刻，达到刻蚀表面干净、图形边缘平整的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 后处理 超导量子 芯片 含铌 刻蚀残留物 薄膜边缘 刻蚀表面 曝光显影 图形边缘 芯片领域 点状 膜刻 去除 去胶 显影 量子 破损 粗糙 平整 残留 | ||
【主权项】：
1.一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)清理基片，得到干净的基片；(2)在所述干净的基片上镀铌膜；(3)对所述基片上的铌膜进行曝光显影；(4)采用高密度等离子体刻蚀机对所述的基片进行刻蚀；(5)采用高密度等离子体刻蚀机或离子束刻蚀机对步骤(4)得到所述基片进行后处理；(6)对基片去胶。
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