[发明专利]一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法，其检测器以硅基SOI（Silicon On Insulator）基片作为衬底，所述衬底上反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching‑RIE）硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温，具有高灵敏度，快响应时间，制备简单，便于做成大规模阵列芯片的特点，使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器，其特征在于，该检测器以硅基SOI基片作为检测器的衬底，所述衬底上反应离子刻蚀硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极；其中：所述SOI衬底中底层硅为高阻硅，其电阻率至少为4000 ohm.cm，顶层硅为P型掺杂中阻硅，其电阻率1‑20 ohm.cm；所述硅探测微桥的厚度为100nm 至200nm；所述金薄膜电极的引线走向与检测信号的极化方向一致。