[发明专利]具有石墨烯结构的半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810012595.0 | 申请日： | 2018-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN109411579B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 临沂金霖电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 山东诚杰律师事务所 37265 | 代理人： | 王志强;刘成飞 |
| 地址： | 276000 山东省临*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有石墨烯结构的半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层、P型GaN层，其中，所述有源层包括周期层叠的量子阱层和量子垒层，所述N型GaN层或/和所述有源层中还包括一石墨烯层，位于所述石墨烯层两侧的氮化铝层。本发明通过在石墨烯层两侧沉积氮化铝层，可以有效的阻止石墨烯引起的碳玷污，降低位错、缺陷密度，提高氮化镓结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有石墨烯结构的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；沉积在所述衬底上的缓冲层；沉积在所述缓冲层上的N型GaN层；沉积在所述N型GaN层上的有源层；沉积在所述有源层上的P型GaN层；其中，所述有源层包括周期层叠的量子阱层和量子垒层，所述N型GaN层或/和所述有源层中还包括一石墨烯层，位于所述石墨烯层两侧的氮化铝层。
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