[发明专利]一种锑化铟抛光晶片的清洗方法有效
| 申请号： | 201810008754.X | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108231541B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李忠良;叶薇;李增寿;刘世能;龚晓霞;信思树;苏玉辉;太云见;赵鹏;黄晖 | 申请（专利权）人： | 云南北方昆物光电科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;仇蕾安 |
| 地址： | 650223 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种锑化铟抛光晶片的清洗方法，属于光电材料技术领域。本发明所述方法是依次采用15℃～25℃的甲苯、50℃～60℃的甲苯、丙酮、乙醇、50℃～60℃含有富高力洗洁精的纯水溶液以及纯水对锑化铟抛光晶片进行浸泡或冲洗，该方法避免采用超声清洗，而且在清洗过程不会与锑化铟抛光晶片表面发生化学反应，从而避免对锑化铟抛光晶片表面造成二次破坏，能够保证锑化铟抛光晶片表面的平整度；相对于引入的氧化剂或者腐蚀剂，所引入的富高力洗洁精能够通过纯水简单的冲洗干净，不会引入新的杂质。采用本发明所述方法清洗的锑化铟抛光晶片表面具有优异的平整度和清洁度，能够满足高质量免洗抛光晶片的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化铟 抛光 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锑化铟抛光晶片的清洗方法，其特征在于：所述方法步骤如下，(1)将锑化铟抛光晶片浸入15℃～25℃的甲苯中，浸泡20h～24h后，再将锑化铟抛光晶片转移至50℃～60℃的甲苯中，继续浸泡20min～25min，之后再依次用丙酮、乙醇清洗锑化铟抛光晶片；(2)用50℃～60℃含有富高力洗洁精的纯水溶液冲洗经过乙醇清洗后的锑化铟抛光晶片，冲洗5min～8min后，再用纯水冲洗10min以上，干燥，即完成对锑化铟抛光晶片的清洗；其中，步骤(1)和步骤(2)均是在百级超净间中进行操作的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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