[发明专利]一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置有效
| 申请号： | 201810003151.0 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108231558B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 路兆里;吴嘉禄;姚兴鹏;张展鹏;张桂梅 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置，包括：载物台、在载物台下方等间隔交替设置的加热装置与冷却装置、分别与加热装置和冷却装置连接的PLC控制器，所述载物台下表面设有多个分别对应加热装置和冷却装置位置设置的温度传感器，PLC控制器实时接收温度传感器发送的载物台的温度信号，并根据接收的温度信号与预设温度值比较，分别向加热装置与冷却装置发送控制信号使其工作。本发明通过“棋盘式”分布的温度梯度，固定面积区域与四侧温度差恒定，驱使熔融状态的多晶硅在各个方向同时几乎同速率生长，得到大尺寸多晶硅晶粒，同时颗粒和突起也会随之降低，退火后膜层表面的粗糙程度会减轻，很好的保证TFT开关的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准分子激光 退火 温度 控制系统 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种准分子激光退火温度控制系统，其特征在于，包括：载物台、在载物台下方等间隔交替设置的加热装置与冷却装置、分别与加热装置和冷却装置连接的PLC控制器，所述载物台下表面设有多个分别对应加热装置和冷却装置位置设置的温度传感器，PLC控制器实时接收温度传感器发送的载物台的温度信号，并根据接收的温度信号与预设温度值比较，分别向加热装置与冷却装置发送控制信号使其工作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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