[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201810001701.5 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109994587B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈柏君;汪琼;张国华;祝庆;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管芯片，包括衬底、N型层、应力释放层、发光层、P型层、透明导电层、P型电极以及N型电极，所述N型层、所述应力释放层、所述发光层、所述P型层以及所述透明导电层依次层叠设置于所述衬底1，所述N型电极设置于所述N型层，所述P型电极设置于所述透明导电层，所述透明导电层包括层叠设置的石墨烯层以及ITO透明导电层。上述发光二极管芯片，使用石墨烯取代部分氧化铟锡作为透明导电材料，降低了材料成本，同时提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括衬底、N型层、应力释放层、发光层、P型层、透明导电层、P型电极以及N型电极，所述N型层、所述应力释放层、所述发光层、所述P型层以及所述透明导电层依次层叠设置于所述衬底，所述N型电极设置于所述N型层，所述P型电极设置于所述透明导电层，其特征在于，所述透明导电层包括层叠设置的石墨烯层以及ITO透明导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖德豪润达光电科技有限公司，未经芜湖德豪润达光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810001701.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：密封的半导体发光器件
- 下一篇：一种LED芯片的分解工艺
