[发明专利]用于薄膜晶体管的气隙在审
| 申请号： | 201780095290.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111201612A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | A.A.沙尔马;V.H.勒;陈立慧;T.特罗尼克;B.朱-龚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张健;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中的实施例描述了用于薄膜晶体管（TFT）的技术，该薄膜晶体管可以包括在衬底上方的栅极电极和在栅极电极上方的沟道层。源极电极可以在沟道层上方并且与沟道层的源极区域相邻，并且漏极电极可以在沟道层上方并且与沟道层的漏极区域相邻。钝化层可以在沟道层上方并且在源极电极与漏极电极之间，并且顶部介电层可以在栅极电极、沟道层、源极电极、漏极电极和钝化层上方。此外，气隙可以在钝化层上方并在顶部介电层下方，并且在源极电极与漏极电极之间。可以描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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