[发明专利]衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201780094736.1 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111052306A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 张丽旸;程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种衬底及其制备方法，属于半导体领域。衬底包括：基础衬底(10)；薄膜层(11)，其中所述薄膜层(11)覆盖部分所述基础衬底(10)的表面，使所述基础衬底(10)具有未被所述薄膜层(11)覆盖的裸露表面(100)；以及凹孔(101)，位于至少部分所述裸露表面(100)上。该衬底具有凹孔，可以释放当在衬底上生长外延层时由于晶格失配和热失配所产生的应力，降低因压力过大而导致产生缺陷和裂纹的风险，从而减小后续在该衬底上制备得到的半导体的翘曲度，使其具有更好的质量与性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
