[发明专利]基座、外延生长装置、外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片有效
| 申请号： | 201780094456.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111295737B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 楢原和宏 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/458;C30B25/12;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱美红;陈浩然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
提供一种能够提高外延硅晶片的外延层的平坦度的周向均匀性的基座。本发明的基座（100）设有载置硅晶片（W）的凹形状的锪孔部；基座的中心与锪孔部的开口缘之间的径向距离L以90度周期在周向上变动，并且当将径向距离L成为最小的位置的角度设为0度时，在90度、180度、270度的各处，径向距离L成为最小值L |
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| 搜索关键词： | 基座 外延 生长 装置 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
