[发明专利]延长在PECVD工艺腔室中接地带使用寿命

摘要

一种基板处理腔室(102)包括多个接地带(130)，所述多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。所述接地带(130)的第一端(234)从所述接地带(130)的第二端(236)竖直地偏移。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个陶瓷板(590)，所述一个或多个陶瓷板耦接到基板支撑件(118)的外周边以减少在腔室壁(106)、基板支撑件(118)和接地带(130)上的膜沉积。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个接地带(130)，所述一个或多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。每个接地带(130)在其一端或两端包括L型挡块(462、472)以减小所述接地带(130)的暴露长度。所述设备延长接地带使用寿命、提高整体腔室性能并减小所述腔室内的RF频率变化。

主权项

1.一种基板处理腔室，包括：/n腔室主体，所述腔室主体包括：/n一个或多个腔室壁；和/n腔室底部，所述腔室底部具有第一底部连接器和第二底部连接器；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中，所述基板支撑件具有至少第一支撑件连接器、第二支撑件连接器和第三支撑件连接器；第一接地带，所述第一接地带具有第一端和第二端，所述第一端在所述第一支撑件连接器处耦接到所述基板支撑件，所述第二端在所述第二底部连接器处耦接到所述腔室底部；和/n第二接地带，所述第二接地带具有第一端和第二端，所述第一端在所述第二支撑件连接器处耦接到所述基板支撑件，所述第二端在所述第三底部连接器处耦接到所述腔室底部。/n