[发明专利]硅晶圆的抛光方法有效
| 申请号： | 201780090843.7 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110800085B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 松田修平 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00;B24B37/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的硅晶圆的抛光方法在包括前阶段抛光工序及此后的精抛工序的最终抛光工序中，所述前阶段抛光工序中，作为抛光液，首先，供给含有密度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 硅晶圆 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆的抛光方法，其将以下工序作为最终抛光工序来进行：/n前阶段抛光工序，使用包含在表面设置有第1抛光垫的第1平台及第1抛光头的前阶段抛光单元，向所述第1抛光垫供给第1抛光液，并且在使由所述第1抛光头保持的硅晶圆与所述第1抛光垫接触的状态下使所述第1平台及所述硅晶圆旋转，由此抛光所述硅晶圆的表面；及/n精抛工序，在上述工序之后，使用包含在表面设置有第2抛光垫的第2平台及第2抛光头的精抛单元，向所述第2抛光垫供给第2抛光液，并且在使由所述第2抛光头保持的所述硅晶圆与所述第2抛光垫接触的状态下使所述第2平台及所述硅晶圆旋转，由此进一步抛光所述硅晶圆的表面，/n所述硅晶圆的抛光方法的特征在于，/n所述前阶段抛光工序中，作为所述第1抛光液，首先，供给含有密度为1×10
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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