[发明专利]在感应耦合等离子体处理室内以低偏压产生近衬底补充等离子体密度在审
| 申请号： | 201780088506.4 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN110462798A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 谭忠魁;张依婷;符谦;徐晴;吴垠;萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼;亚历克斯·帕特森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/46;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 樊英如;张华<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 衬底定位于电感耦合等离子体处理室的等离子体处理容积空间内的衬底支撑结构上。从第一射频信号发生器向设置在等离子体处理容积空间外部的线圈提供第一射频信号，以产生暴露于衬底的等离子体。从第二射频信号发生器向衬底支撑结构内的电极提供第二射频信号。第一和第二射频信号发生器被彼此独立地控制。第二射频信号的频率大于或等于约27兆赫兹。第二射频信号在等离子体处理容积空间内的衬底的水平处产生补充等离子体密度，同时在衬底的水平处产生小于约200伏的偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 射频信号 射频信号发生器 等离子体处理 容积空间 衬底 等离子体 衬底支撑 水平处 电感耦合等离子体 彼此独立 衬底定位 电极 暴露 外部 补充 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作电感耦合等离子体处理室的方法，其包括：/n将衬底定位在所述电感耦合等离子体处理室的等离子体处理容积空间内的衬底支撑结构上；/n从第一射频信号发生器向设置在所述电感耦合等离子体处理室的所述等离子体处理容积空间外部的线圈提供第一射频信号，所述第一射频信号产生暴露于所述衬底的等离子体；以及/n在从所述第一射频信号发生器向所述线圈提供所述第一射频信号的同时，从第二射频信号发生器向所述衬底支撑结构内的电极提供第二射频信号，所述第一射频信号发生器和所述第二射频信号发生器被彼此独立地控制，所述第二射频信号具有大于或等于约27兆赫兹的频率，所述第二射频信号在所述等离子体处理容积空间内的所述衬底的水平处产生补充等离子体密度，所述第二射频信号在所述衬底的所述水平处产生小于约200伏的偏置电压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
