[发明专利]非易失性存储器有效
| 申请号： | 201780086672.0 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110574112B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 简·泽曼;安德烈·保罗·米哈伊;邹斌;大卫·博尔德林;叶夫根尼·唐切夫 | 申请（专利权）人： | IP2IPO创新有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;黄隶凡 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器单元，包括：存储层，其包括铁磁或铁电材料，其中数据可记录为磁的或电的极化的方向；压磁层，其包括抗钙钛矿压磁材料，该抗钙钛矿压磁材料取决于压磁层中的磁性状态和应变而选择性地具有对存储层的第一类效应和对存储层的第二类效应；以及应变诱导层，其用于在压磁层中诱导应变，从而使压磁层从第一类效应切换到第二类效应。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器单元，包括：/n存储层，其包括铁磁材料，其中数据可记录为磁化的方向；/n压磁层，其包括抗钙钛矿压磁材料，该抗钙钛矿压磁材料取决于所述压磁层中的应变而选择性地具有对所述存储层的第一类效应和对所述存储层的第二类效应；以及/n应变诱导层，其用于在所述压磁层中诱导应变，从而使所述压磁层从所述第一类效应切换到所述第二类效应。/n
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