[发明专利]硅靶材有效
| 申请号： | 201780080220.1 | 申请日： | 2017-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN110291222B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 金井昌弘;续桥浩司;小西希;萩原正弘;胜见昌高;小林和人 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料电子化成株式会社;大同特殊钢株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;梅黎 |
| 地址： | 日本秋田*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在长方形板状的靶材(10)的表面，作为设计上不被溅射的虚拟区域，在靶材(10)的宽度方向的中央形成于长度方向延伸的沟部(13)。在将靶材(10)表面的宽度(W |
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| 搜索关键词： | 硅靶材 | ||
【主权项】：
1.硅靶材，其是在长方形板状的靶材的表面，作为设计上不被溅射的虚拟区域，在上述靶材的宽度方向的中央形成有于长度方向延伸的沟部的硅靶材，其特征在于，在将上述靶材的宽度W1设为100%时，上述沟部的宽度W2为20~40%。
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