[发明专利]与快速热活化工艺相结合的使用等离子体的原子层刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201780077368.X | 申请日： | 2017-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN110088882B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 马绍铭 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于在半导体晶片上刻蚀膜层的工艺。该工艺特别适合于刻蚀含碳层，例如硬掩模层、光致抗蚀剂层和其他低介电膜。根据本公开，从等离子体产生的反应物质与膜层的表面接触。同时，衬底或半导体晶片经受快速热加热循环，该快速热加热循环以受控方式将温度升高超过反应的活化温度。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 活化 工艺 相结合 使用 等离子体 原子 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种用于刻蚀半导体晶片上的层的工艺，包括：将半导体晶片放置在处理室中，所述半导体晶片包括膜层；从刻蚀剂气体产生等离子体，所述等离子体含有反应物质；使所述膜层与所述反应物质接触；和在所述半导体晶片与所述反应物质接触的同时将所述半导体晶片暴露于快速热循环，所述快速热循环将所述膜层加热到足以使所述反应物质刻蚀所述膜层的活化温度以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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