[发明专利]一种三极管的封装方法及三极管在审
| 申请号： | 201780077309.2 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110268511A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 黄冕 | 申请（专利权）人： | 深圳中科四合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/331;H01L23/498 |
| 代理公司： | 深圳众赢通宝知识产权代理事务所(普通合伙) 44423 | 代理人： | 翁治林 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种三极管的封装方法及三极管，用于解决现有三极管的占用空间大，封装效率低的问题。方法包括：提供载体(10)，并在载体的至少一个面上覆盖表面金属层(11)；在表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜(12)；对表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个第一焊盘(13)；在至少一个第一焊盘上焊接芯片(14)；在芯片上焊接第二焊盘(15)形成三极管模板；采用复合材料(16)对三极管模板进行塑封处理；在第二焊盘和至少一个第一焊盘的垂直方向上钻盲孔(17)，并将盲孔处理成金属化盲孔：对金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路或非闭合回路，封装出三极管。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 焊盘 盲孔 封装 表面金属层 线路图形 金属化 焊接 芯片 非闭合回路 闭合回路 封装效率 覆盖表面 复合材料 区域覆盖 图形制作 占用空间 金属层 抗蚀膜 电镀 塑封 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
