[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780076451.5 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110062961B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，包括：栅电极；设置在栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；设置为与沟道层接触的源电极和漏电极；以及设置在栅电极和沟道层之间的第一绝缘层，沟道层包括第一氧化物半导体，源电极和/或漏电极包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含In、W和Zn，W对In、W和Zn的总量的含量比高于0.001原子％并且不高于8.0原子％，Zn对In、W和Zn的总量的含量比高于1.2原子％并且不高于40原子％以及Zn与W的原子比率高于1.0并且低于20000。还提供一种制造该半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：栅电极；被设置在所述栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；被设置为与所述沟道层相接触的源电极和漏电极；以及被设置在所述栅电极和所述沟道层之间的第一绝缘层，所述沟道层包括第一氧化物半导体，所述源电极和所述漏电极中的至少一个包括第二氧化物半导体，所述第一氧化物半导体和所述第二氧化物半导体包含铟、钨和锌，所述第一氧化物半导体和所述第二氧化物半导体中的钨对铟、钨和锌的总量的含量比高于0.001原子％且不高于8.0原子％，所述第一氧化物半导体和所述第二氧化物半导体中的锌对铟、钨和锌的总量的含量比不低于1.2原子％且不高于40原子％，以及所述第一氧化物半导体和所述第二氧化物半导体中的锌对钨的原子比率高于1.0且低于20000。
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