[发明专利]黑矩阵用组合物、黑矩阵、以及黑矩阵的制造方法有效
申请号: | 201780075336.6 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN110036318B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 锦博彦;冈部达;石田和泉;村重正悟;能谷敦子;野中敏章;吉田尚史 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社;睿智弗尤德收购公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;C09C1/48;C08G77/04;C08K3/04;C08K9/06;C08L83/04 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种材料,其为黑矩阵用的组合物,其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物,其特征在于,含有:(I)包含体积平均粒径为1~300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。 | ||
搜索关键词: | 矩阵 组合 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种黑矩阵用组合物,其特征在于,包含以下的成分:(I)黑色着色剂,该黑色着色剂包含体积平均粒径为1~300nm的炭黑,(II)硅氧烷聚合物,该硅氧烷聚合物具有由通式(Ia)、(Ib)及/或(Ic)表示的重复单元,
式中,R1是1个以上的亚甲基也可被氧置换、或者1个以上的氢也可被氟置换的碳原子数1~10的直链状、分支状或者环状的烷基或者烯基、或者碳原子数6~20的芳基,通式(Ia)在全部重复单元中的比率x为0摩尔%以上且30摩尔%以下,通式(Ib)在全部重复单元中的比率y为50摩尔%以上且100摩尔%以下,通式(Ic)在全部重复单元中的比率z为0摩尔%以上且30摩尔%以下,(III)表面改性二氧化硅微粒,其在表面的至少一部分具有由通式(3)表示的官能团,体积平均粒径为1~300nm,‑(O)kSiR3m(OR5)l(3)式中,R3表示1个以上的亚甲基也可被氧置换、或者1个以上的氢也可被氟置换的碳原子数1~20的直链状、分支状或者环状的烷基或者烯基、或者碳原子数6~20的芳基,R5表示氢或者碳原子数1~10的烷基,并且k+l+m=4,k=1~3,m=0~3,(IV)热碱产生剂,以及(V)溶剂。
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