[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法和固态摄像元件有效
| 申请号： | 201780075272.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110088883B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 重岁卓志 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了抑制由于充电损伤导致的晶体管特性的变化，以减少为避免充电损伤所需的设计限制，并提高增加半导体集成度的设计的自由度。半导体装置包括：垂直电极，其形成在垂直孔中，所述垂直孔从开口部分沿基座的厚度方向向待连接部分延伸，且具有阻挡金属膜和导电材料从靠近暴露于垂直孔的绝缘膜的一侧依次堆叠的结构；以及低电阻膜，其被设置为位于除了待连接部分附近之外的阻挡金属膜与第一绝缘膜之间，且具有比绝缘膜的电阻值低的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 固态 摄像 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：垂直电极，其形成在垂直孔中，所述垂直孔从开口部分沿基座的厚度方向向待连接部分延伸，且具有阻挡金属膜和导电材料从靠近暴露于所述垂直孔的第一绝缘膜的一侧依次堆叠的结构；以及低电阻膜，其被设置为位于除了所述待连接部分附近之外的所述阻挡金属膜与所述第一绝缘膜之间，且具有比所述第一绝缘膜的电阻值低的电阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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