[发明专利]封装半导体装置在审
申请号: | 201780073173.8 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN110024091A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 本杰明·史塔生·库克;林勇 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种装置,其包括:衬底(201);以及粘合剂纳米颗粒层(400),其在所述衬底表面(201a)的顶部上经图案化为电导区和绝缘区。邻接所述表面(201a)的扩散区(402b)包括所述纳米颗粒在所述衬底(201)材料中的混合物。在由最初所有导电纳米颗粒(402)而图案化所述纳米颗粒层(400)时,通过选择性氧化来形成所述绝缘区。在由最初所有不导电纳米颗粒(403)而图案化所述纳米颗粒层(400)时,通过选择性地沉积挥发性还原剂来形成所述导电区。绝缘材料的封装件(701)与所述纳米颗粒层(400)接触并填充所述纳米颗粒层(400)中的任何空隙。 | ||
搜索关键词: | 纳米颗粒层 纳米颗粒 绝缘区 图案化 衬底 封装半导体装置 导电纳米颗粒 挥发性还原剂 选择性氧化 粘合剂 衬底表面 绝缘材料 不导电 导电区 封装件 混合物 扩散区 邻接 电导 上经 沉积 填充 图案 | ||
【主权项】:
1.一种装置,其包括:具有第一材料的衬底;纳米颗粒层,其位于所述衬底的表面的顶部上且与所述衬底的表面接触,邻接所述衬底表面的区域包括扩散于所述第一材料中的所述纳米颗粒的混合物,其中所述纳米颗粒层包括交替地具有电导和电绝缘的连续区;以及塑料材料,其与所述纳米颗粒层接触,其中所述塑料材料填充所述纳米颗粒层中的空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造