[发明专利]碳化硅半导体器件

摘要

有源区设置有由侧表面和底表面限定的至少一个栅沟槽。终端区包括围绕有源区的第二杂质区。侧表面具有面对第二杂质区的内端表面的第一外端表面。底表面具有第一底部部分和第二底部部分，第一底部部分与第一外端表面连续，第二底部部分与第一底部部分连续并且位于相对于所述第一底部部分位于与所述内端表面相反的一侧。碳化硅衬底具有第一区和第二区，第一区和第二区位于至少一个栅沟槽和第二主表面之间，并且彼此间隔开，漂移区被夹在其间。在平行于第一外端表面的方向上，位于第一底部部分和第二主表面之间的第一区和第二区之间的间隔小于位于第二底部部分和第二主表面之间的第一区和第二区之间的间隔。

主权项

1.一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主表面和第二主表面，所述第二主表面位于与所述第一主表面相反的一侧；以及栅绝缘膜，所述栅绝缘膜设置在所述第一主表面上，所述碳化硅衬底包括有源区和终端区，当从与所述第一主表面垂直的方向观察时，所述终端区包围所述有源区，所述有源区设置有至少一个栅沟槽，所述栅沟槽由与所述第一主表面连续的侧表面和与所述侧表面连续的底表面限定，所述有源区具有漂移区，所述漂移区具有第一导电类型，本体区，所述本体区设置在所述漂移区上并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，源区，所述源区位于所述本体区上，通过所述本体区与所述漂移区分开，并且具有所述第一导电类型，以及第一杂质区，所述第一杂质区位于包括所述底表面的平面与所述第二主表面之间，并且具有所述第二导电类型，所述终端区包括第二杂质区并且具有所述第二导电类型，当从与所述第一主表面垂直的方向观察时，所述第二杂质区包围所述有源区，所述栅绝缘膜在所述侧表面处与所述漂移区、所述本体区和所述源区接触，并且在所述底表面处与所述漂移区接触，所述侧表面具有面对所述第二杂质区的内端表面的第一外端表面，所述底表面具有第一底部部分和第二底部部分，所述第一底部部分与所述第一外端表面连续，所述第二底部部分与所述第一底部部分连续并且相对于所述第一底部部分位于与所述内端表面相反的一侧，所述第一杂质区具有第一区和第二区，所述第一区和所述第二区位于所述至少一个栅沟槽和所述第二主表面之间，并且彼此间隔开，所述漂移区被夹在其间，在平行于所述第一外端表面的方向上，位于所述第一底部部分和所述第二主表面之间的所述第一区和所述第二区之间的间隔小于位于所述第二底部部分和所述第二主表面之间的所述第一区和所述第二区之间的间隔。