[发明专利]有源喷头在审
| 申请号： | 201780066990.0 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109891565A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 马瑞斯·格雷戈尔;索斯藤·利尔;大卫·特鲁塞尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;H05H1/46;H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于等离子体反应器的有源喷头。有源喷头包括多个基板层。基板层包括至少一个致动器和传送部件。致动器和传送部件通过气体通道耦合到气体管线。有源喷头还包括位于基板层下方的电极层。电极层与致动器和传送部件两者共用开口。致动器和传送部件使得从气体管线和气体通道接收的一种或多种工艺气体能流通进入开口，而不需要传统的气箱。 | ||
| 搜索关键词： | 喷头 传送部件 致动器 气体管线 气体通道 电极层 基板层 等离子体反应器 多个基板 工艺气体 共用开口 传统的 耦合到 气箱 开口 流通 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理系统，其包括：致动器控制装置；气体管线；等离子体反应器，其耦合到所述气体管线和所述致动器控制装置，所述等离子体反应器包括：卡盘组件；和位于所述卡盘组件上方的有源喷头，所述有源喷头包括：多个基板层，其中所述基板层包括耦合到所述致动器控制装置的致动器和传送部件，其中所述致动器和传送部件经由气体通道耦合到所述气体管线；位于所述基板层下方的电极层，其中所述电极层和所述致动器和传送部件共用开口，所述开口通向所述卡盘组件和所述有源喷头之间的间隙，其中，所述致动器控制装置被配置成控制所述致动器和传送部件，以使得从所述气体管线和所述气体通道接收的一种或多种工艺气体能经由所述开口流通进入所述间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
