[发明专利]用于材料和结构感测的表面声波RFID传感器在审
| 申请号： | 201780065170.X | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109891748A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 阿亚尔·拉姆;阿米尔·利希滕斯坦 | 申请（专利权）人： | 艾皮乔尼克控股有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;G01N27/414 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 顾一明 |
| 地址： | 新加坡道拉实街100*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本申请描述了基于表面声波(SAW)换能器和二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)导电结构的组合的零功率射频识别(RFID)传感器芯片的实施方案，及其作为用于材料和结构感测的超灵敏麦克风的用途。所述SAW RFID传感器包含在其上沉积多层异质结结构的压电衬底。所述异质结结构包括至少两层即缓冲层和阻挡层，其中两层均由III‑V单晶或多晶半导体材料诸如Ga N/Al Ga N生长。转换SAW的叉指换能器(IDT)安装在所述阻挡层的顶部。在两层构型情况下包括二维电子气(2DEG)或者在三层构型情况下包括二维空穴气(2DHG)的导电沟道形成在所述缓冲层与阻挡层之间的界面处，并且在连接到所形成的沟道的非欧姆(电容耦合)源极与漏极接触之间的系统中提供电子或空穴电流。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 两层 二维电子气 二维空穴气 表面声波 缓冲层 感测 构型 多晶半导体材料 叉指换能器 传感器芯片 多层异质结 灵敏麦克风 异质结结构 导电沟道 导电结构 电容耦合 空穴电流 漏极接触 射频识别 压电衬底 换能器 界面处 零功率 单晶 沟道 三层 源极 沉积 生长 转换 申请 | ||
【主权项】：
1.一种表面声波(SAW)射频识别(RFID)传感器芯片，其包括：压电衬底，所述衬底包括压电层和多层异质结结构，所述结构由III‑V单晶或多晶半导体层制成、沉积在所述压电层上并且包括至少一个缓冲层和至少一个阻挡层，所述层交替堆叠；至少一对安装在所述压电衬底上的金属叉指换能器(IDT)，用于接收射频(RF)输入信号、将所述输入信号转换成表面声波(SAW)、沿着所述压电衬底的表面传播所述表面声波并将所述传播的表面声波转换成输出RF信号；沉积在所述压电衬底上的至少一个伪导电二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)结构，用于在所述缓冲层和所述阻挡层之间的所述界面处的所述异质结结构中形成伪导电2DEG或2DHG沟道；以及电容耦合到所述IDT并且耦合到所述伪导电2DEG或2DHG结构的电金属化层，用于感应位移电流，从而产生非欧姆源极和漏极接触，用于将所述传感器芯片连接到电路。
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