[发明专利]半导体集成电路装置有效

专利信息
申请号: 201780063928.6 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN109863588B 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 岩堀淳司 申请(专利权)人: 株式会社索思未来
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 高颖
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在半导体集成电路装置的具有多个高度区域(AR1~AR4)的标准单元(1)中,彼此具有同一功能且分别接收公共信号(S、NS)而工作的多个部分电路(SL0~SL7)分别配置于高度区域(AR1~AR4)中的任一个高度区域内。构成公共信号(S)的供给路径的金属布线(21)配置在高度区域(AR1),金属布线(21)与部分电路(SL0、SL1)连接;构成公共信号(S)的供给路径的金属布线(22)配置在高度区域(AR3),金属布线(22)与部分电路(SL4、SL5)连接。
搜索关键词: 半导体 集成电路 装置
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,包括实现规定的电路功能的标准单元,其特征在于,所述标准单元包括:N条电源布线,所述N条电源布线分别沿第一方向延伸,在垂直于所述第一方向的第二方向上交替地配置有供给第一电源电位的第一电源布线和供给第二电源电位的第二电源布线,其中,N为3以上的整数;以及多个触发器电路,所述多个触发器电路分别接收一种或多种公共信号而工作,所述多个触发器电路分别配置于由所述第一电源布线和所述第二电源布线夹住的区域即M个高度区域中的任一个区域,其中,M=N‑1,在所述M个高度区域中的至少两个高度区域即第一高度区域分别配置有多个所述触发器电路,还配置有构成所述公共信号中的一个公共信号即第一公共信号的供给路径的金属布线,所述金属布线与至少两个所述触发器电路连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社索思未来,未经株式会社索思未来许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780063928.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top