[发明专利]硫代(二)硅烷

摘要

本发明公开了一种在基底上形成膜的方法，该方法包括：在化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)方法中，在热或等离子体条件下对根据式(I)(R1aR1bR1cCS)s(R22N)n(Si‑Si)XxHh(I)的硫代二硅烷加热，以得到沉积在基底上的含硅膜，其中：下标s、n、x、h以及R1a、R1b、R1c、R22和X如本文所定义。

主权项

1.一种在基底上形成含硅膜的方法，所述方法包括：在化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)方法中，在热或等离子体条件下对根据式(I)(R^1aR^1bR^1cCS)_s(R²₂N)_n(Si‑Si)X_xH_h(I)的硫代二硅烷加热，以得到沉积在所述基底上的含硅膜，其中：下标s为1至6的整数；下标n为0至5的整数；下标x为0至5的整数；下标h为0至5的整数；前提条件是总和s+n+x+h＝6；每个H当存在于式(I)中时(即当下标h为1至5时)独立地键合到式(I)中的硅原子中的相同或不同的硅原子上；每个X为单价卤素原子F、Cl、I、或Br，并且当存在于式(I)中时(即当下标x为1至5时)独立地键合到式(I)中的硅原子中的相同或不同的硅原子上；其中R^1a、R^1b和R^1c由限制条件(a)、(b)、或(c)所定义：(a)至少一个R^1a独立地为(C₂‑C₂₀)烷基或苯基，并且任何其余的R^1a、R^1b和R^1c各自独立地为H或(C₁‑C₂₀)烃基；或者(b)存在独立地为取代或未取代的(C₆‑C₂₀)芳基的至少一个基团R^1aR^1bR^1cC，并且任何其余的R^1a、R^1b和R^1c各自独立地为H或(C₁‑C₂₀)烃基；或者(c)相同或不同的R^1aR^1bR^1cC基团中的R^1a、R^1b和R^1c(统称为R¹基团)中的任何两者键合在一起以形成二价基团‑R¹¹‑，其中‑R¹¹‑为CH₂或(C₃‑C₂₀)亚烃基，并且任何其余的R^1a、R^1b和R^1c各自独立地为H或(C₁‑C₂₀)烃基；每个R²基团独立地为H或(C₁‑C₂₀)烃基；或者任何两个R²基团可键合在一起以形成二价基团‑R²²，其中‑R²²‑为(C₂‑C₂₀)亚烃基，并且任何其余的R²基团各自独立地为H或(C₁‑C₂₀)烃基；每个烃基和亚烃基独立地为未取代的或者被1至5个取代基SUB取代；并且每个SUB独立地为未取代的(C₁‑C₆)烷基、未取代的(C₃‑C₆)环烷基、未取代的(C₂‑C₆)烯基、未取代的(C₂‑C₆)炔基、未取代的(C₆‑C₇)芳基、氟、氯、或溴。