[发明专利]具有三个晶体管和两个电阻式存储器元件的电阻式随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 201780060161.1 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110050305B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | J·L·麦科勒姆;V·赫克特 | 申请（专利权）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨丽;陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种ReRAM单元阵列具有行和列，并且包括用于每一行的第一和第二互补位线，用于每一列的第一、第二和第三字线以及用于每一行的源极位线。位于每一行和每一列的ReRAM单元包括：第一电阻式存储器元件，其第一端连接到其行的第一互补位线；p沟道晶体管，其源极连接到第一电阻式存储器元件的第二端、其漏极连接到开关节点、其栅极连接到其列的第一字线；第二电阻式存储器元件，其第一端连接到其行的第二互补位线；n沟道晶体管，其源极连接到所述第二电阻式存储器元件的第二端、其漏极连接到所述开关节点、其栅极连接到其列的第二字线；以及编程晶体管，具有连接到开关节点的漏极、连接到其行的源极位线的源极以及连接到其列的第三字线的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 三个 晶体管 两个 电阻 存储器 元件 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种低漏电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元，包括：一对互补位线；开关节点；第一ReRAM设备，所述第一ReRAM设备具有连接到所述互补位线中的第一个互补位线的第一端；p沟道晶体管，所述p沟道晶体管具有连接到所述第一ReRAM设备的第二端的源极、连接到所述开关节点的漏极和连接到p字线的栅极；第二ReRAM设备，所述第二ReRAM设备具有连接到所述位线中的第二个位线的第一端；和n沟道晶体管，所述n沟道晶体管具有连接到所述第二ReRAM设备的第二端的源极、连接到所述开关节点的漏极和连接到n字线的栅极。
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