[发明专利]表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法在审
| 申请号： | 201780057671.3 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109716488A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈景智 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/22;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/34;C23G1/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | [课题]提供的方案在于，边使残留于至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅的研磨完成后的研磨对象物的表面的杂质充分去除，边抑制钨的溶解速度。[解决方案]一种表面处理组合物，其含有：具有磺酸(盐)基的高分子化合物；选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物；和，分散介质，所述组合物用于对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理，所述研磨完成后的研磨对象物至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨对象物 研磨 表面处理组合物 原硅酸四乙酯 氮化硅 高分子化合物 半导体基板 分散介质 多元醇 氨基酸 磺酸 去除 溶解 残留 制造 | ||
【主权项】：
1.一种表面处理组合物，其含有：具有磺酸(盐)基的高分子化合物；选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物；和，分散介质，所述组合物用于对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理，所述研磨完成后的研磨对象物至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
