[发明专利]电子发射器及其制造方法在审
| 申请号： | 201780056388.9 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109791862A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 窦菊英;樊征;郭子毅;陈仲玮 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/14;H01J1/304;H01J37/06;H01J37/065;H01J37/073 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了电子发射器和制造电子发射器的方法。根据某些实施例，一种电子发射器包括尖端，其具有直径在约(0.05‑10)微米的范围内的平面区域。电子发射器尖端被配置为释放场发射电子。电子发射器进一步包括涂覆在尖端上的功函数降低材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电子发射器 场发射电子 平面区域 功函数 涂覆 制造 释放 配置 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射器，包括：尖端，具有平面区域，所述平面区域具有在约(0.05‑10)微米的范围内的直径；以及功函数降低材料，被涂覆在所述尖端上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780056388.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
