[发明专利]半导体光调制元件

摘要

本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。

主权项

1.一种半导体光调制元件，其特征在于，在半绝缘性基板上以层叠构造形成光波导，所述层叠构造具有至少以作为n型或p型包层的第一包层、非掺杂的芯层及包层、作为p型或n型包层的第二包层的顺序层叠的pin结，所述半导体光调制元件具备：供电电极设置部，形成于所述层叠构造上；以及至少两个供电电极，形成于所述电极设置部上，至少两个所述供电电极与设置于所述光波导上的调制电极连接，所述供电电极设置部以所述供电电极间电分离的方式按每个所述供电电极将所述层叠构造的所述第二包层与所述非掺杂的芯层及包层电分离，并且至少两个所述供电电极间经由所述层叠构造的所述第一包层而相互导通，所述光波导和所述供电电极设置部对于所述层叠构造电分离。