[发明专利]具有各向异性介电常数的半导体结构的基于模型的光学测量

摘要

本文中呈现用于采用包括所测量结构的一或多个材料的光学色散性质的各向异性特性化来执行小尺寸半导体结构的基于光学模型的测量的方法及系统。这减小几何参数当中的相关性，且导致多个所测量材料当中的经改进测量灵敏度、经改进测量精度及经提高测量对比度。在进一步方面中，描述包括所述结构的所述材料的介电常数的多维张量的元素与另一元素不同地模型化。在进一步方面中，基于从两个或两个以上测量子系统收集的测量数据、结合所述所测量材料的光学色散的各向异性特性化来执行基于模型的测量。在另一方面中，包括所述所测量结构的一或多个材料的所述光学色散的所述特性化取决于所述结构的几何形状。

主权项

1.一种测量系统，其包括：第一照明器，其跨光谱范围将第一数量的照明提供到未完成的多层半导体晶片上制造的结构；第一光谱仪，其响应于所述第一数量的照明而从所测量结构收集第一数量的光且生成指示所述所测量结构的光谱响应的第一数量的光谱数据，其中所述第一照明器及所述第一光谱仪是根据第一组测量系统参数来配置；及拟合分析模块，其经配置以基于包含所述所测量结构的光学色散的各向异性特性化的测量模型来估计与所述所测量结构相关联的一或多个所关注几何参数的值。