[发明专利]自我修复式半导体晶片处理有效
| 申请号： | 201780052181.4 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109643671B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | A·A·哈贾 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实现大体处理基板的方法，且更具体地，涉及用于预测、量化及修正处理偏移的方法。在一个实现中，所述方法包括在处理腔室内执行实验设计(DOE)，以针对与处理腔室相关联的每一个可调整处理控件在基板上多个位置处获得传感器读数和膜特性；使用从所述DOE所获得的传感器读数和膜特性，对基板上的各个位置建立回归模型；在生产期间追踪传感器读数的改变；使用所述回归模型，识别可导致膜特性的改变的传感器读数的偏移；以及调整一个或更多个处理控件，以修正传感器读数的偏移而使膜特性的改变最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 自我 修复 半导体 晶片 处理 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：在处理腔室内执行实验设计，以针对与所述处理腔室相关联的每一个可调整处理控件在测试基板上多个位置处获得传感器读数和膜特性；使用从所述实验设计所获得的所述传感器读数和所述膜特性，对所述测试基板上的各个位置建立回归模型；在所述处理腔室内的生产期间追踪传感器读数的改变；使用所述回归模型识别传感器读数的偏移，所述传感器读数的所述偏移可导致在生产基板上所形成的膜的膜特性的改变；以及调整一个或更多个处理控件，以修正传感器读数的所述偏移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780052181.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
