[发明专利]低场强磁共振成像有效
| 申请号： | 201780051306.1 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109642933B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·F·登普西 | 申请（专利权）人： | 优瑞技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/48 | 分类号： | G01R33/48;A61B5/055;G01R33/38;G01R33/381;G01R33/3815;G01R33/483;G01R33/563;G01R33/565;A61N5/00;A61N5/10 |
| 代理公司： | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人： | 卓霖;许向彤 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了改进的磁共振成像系统、方法以及软件，所述系统包括：低场强主磁体；梯度线圈组件；RF线圈系统；以及控制系统，该控制系统被配置为在使用稀疏采样成像技术的同时从患者获取磁共振成像数据并进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 场强 磁共振 成像 | ||
【主权项】：
1.一种磁共振成像系统(MRI)，该MRI包括：主磁体，该主磁体具有低场强；梯度线圈组件；RF线圈系统；以及控制系统，该控制系统被配置为从人类患者获取磁共振成像数据并处理该磁共振成像数据，并且被配置为使用没有并行成像的稀疏采样成像技术。
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