[发明专利]使用无源电压反转的双极DC-DC转换器拓扑

摘要

用于产生高压MHz双极DC脉冲的谐振DC‑DC转换器包括：左多级谐振整流器组[100]，所述左多级谐振整流器组[100]连接到正电极[104]并经由电容隔离耦合到左RF放大器端子[128]；右多级谐振整流器组[102]，所述右多级谐振整流器组[102]连接到负电极[106]并经由电容隔离耦合到右RF放大器端子[130]。每个多级谐振整流器组包括多个谐振整流器级[112‑122]，其中每级包括：两个电容器，所述两个电容器用于电容隔离该级；输出电容器；MOSFET开关，所述MOSFET开关连接到相邻级的相邻MOSFET开关；以及选通谐振电路，所述选通谐振电路连接到MOSFET开关，其中可通过来自左RF放大器和右RF放大器的RF信号对组中的MOSFET开关进行被动控制。

主权项

1.一种用于生成高压MHz双极DC脉冲的谐振DC‑DC转换器，所述谐振DC‑DC转换器包括：左多级谐振整流器组，所述左多级谐振整流器组连接至正电极并且经由电容隔离耦合至左RF放大器端子；右多级谐振整流器组，所述右多级谐振整流器组连接至负电极并且经由电容隔离耦合至右RF放大器端子；其中所述左多级谐振整流器组和所述右多级谐振整流器组在共用节点处相连；其中所述左多级谐振整流器组包括多个左谐振整流器级；其中所述右多级谐振整流器组包括多个右谐振整流器级；其中所述多个左谐振整流器级和所述多个右谐振整流器级中的每一级包括：两个电容器，所述电容器用于电容隔离所述级；输出电容器；MOSFET开关，所述MOSFET开关连接至相邻级的相邻MOSFET开关；以及选通谐振电路，所述选通谐振电路连接至所述MOSFET开关，其中所述左多级谐振整流器组中和所述右多级谐振整流器组中的MOSFET开关能够由来自左RF放大器和右RF放大器的RF信号来被动地控制。